關於化學機械抛光（研磨）
解答員:小金
Q1.CMP 是哪三個英文單詞的縮寫？
ANS:Chemical Mechanical Polishing (化學機械研磨)
Q2.CMP是哪家公司發明的？
ANS:CMP是IBM在八十年代發明的。
Q3.簡述CMP的工作原理？
ANS:化學機械研磨是把芯片放在旋轉的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力， 用化學研磨液(slurry)來研磨的。
Q4.爲什麼要實現芯片的平坦化？
ANS:當今電子元器件的集成度越來越高，例如奔騰IV就集成了四千多萬個晶體管，要使這些晶體管能夠正常工作，就需要對每一個晶體管加一定的電壓或電流，這就需要引線來將如此多的晶體管連接起來，但是將這麼多的晶體管連接起來，平面佈線是不可能的，只能夠立體佈線或者多層佈線。在製造這些連線的過程中，層與層之間會變得不平以至不能多層叠加。用CMP來實現平坦化，使多層佈線成爲了可能。
Q5.CMP在什麼線寬下使用？
ANS:CMP在0.25微米以下的制程要用到。
Q6.什麼是研磨速率（removal rate）?
ANS:研磨速率是指單位時間内研磨膜厚度的變化。
Q7.研磨液(slurry)的組成是什麼？
ANS:研磨液是由研磨顆粒(abrasive particles)，以及能對被研磨膜起化學反應的化學溶液組成。
Q8.爲什麼研磨墊(Pad)上有一些溝槽(groove)？
ANS:研磨墊上的溝槽是用來使研磨液在研磨墊上達到均勻分布，使得研磨後芯片上的膜厚達到均勻。
Q9.爲什麼要對研磨墊進行功能恢複(conditioning)?
ANS:研磨墊在研磨一段時間後，就有一些研磨顆粒和研磨下來的膜的殘留物留在研磨墊上和溝道内,這些都會影響研磨液在研磨墊的分布,從而影響研磨的均勻性。
Q10.什麼是blanket wafer ？什麼是pattern wafer ？
ANS:blanket wafer 是指無圖形的芯片。pattern wafer 是指有圖形的芯片。
金太客科技提供半導體CMP製程相關耗材
包含B4C研磨材料/Slurry/Pad/Silica/Polishing/Lapping process etc""
有興趣可mail至aki@kingtechcorp.com
thank you so much
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Q1.CMP 是哪三個英文單詞的縮寫？
ANS:Chemical Mechanical Polishing (化學機械研磨)
Q2.CMP是哪家公司發明的？
ANS:CMP是IBM在八十年代發明的。
Q3.簡述CMP的工作原理？
ANS:化學機械研磨是把芯片放在旋轉的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力， 用化學研磨液(slurry)來研磨的。
Q4.爲什麼要實現芯片的平坦化？
ANS:當今電子元器件的集成度越來越高，例如奔騰IV就集成了四千多萬個晶體管，要使這些晶體管能夠正常工作，就需要對每一個晶體管加一定的電壓或電流，這就需要引線來將如此多的晶體管連接起來，但是將這麼多的晶體管連接起來，平面佈線是不可能的，只能夠立體佈線或者多層佈線。在製造這些連線的過程中，層與層之間會變得不平以至不能多層叠加。用CMP來實現平坦化，使多層佈線成爲了可能。
Q5.CMP在什麼線寬下使用？
ANS:CMP在0.25微米以下的制程要用到。
Q6.什麼是研磨速率（removal rate）?
ANS:研磨速率是指單位時間内研磨膜厚度的變化。
Q7.研磨液(slurry)的組成是什麼？
ANS:研磨液是由研磨顆粒(abrasive particles)，以及能對被研磨膜起化學反應的化學溶液組成。
Q8.爲什麼研磨墊(Pad)上有一些溝槽(groove)？
ANS:研磨墊上的溝槽是用來使研磨液在研磨墊上達到均勻分布，使得研磨後芯片上的膜厚達到均勻。
Q9.爲什麼要對研磨墊進行功能恢複(conditioning)?
ANS:研磨墊在研磨一段時間後，就有一些研磨顆粒和研磨下來的膜的殘留物留在研磨墊上和溝道内,這些都會影響研磨液在研磨墊的分布,從而影響研磨的均勻性。
Q10.什麼是blanket wafer ？什麼是pattern wafer ？
ANS:blanket wafer 是指無圖形的芯片。pattern wafer 是指有圖形的芯片。
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